最近，网络上关于DDR5的介绍越来越多了。本文根据网络上搜集到一些信息，汇总并翻译成了中文，其中有不少是本人自己的理解，不对之处，还望来信指正。
速度和频率（Speed and Clock Rate）
根据DDR4规范，DDR4数据传输的最高速度为3200MT/s，即一秒钟可以传输3200M笔数据，如果是一颗x4的颗粒（Device），那么一秒钟就可以传输3200Mx4 bits的数据。如果要换算成Byte单位，只需要除8即可得到，为1.6GB/s。由于DDR类型颗粒上下边沿都会传输数据，实际Clock的频率为3200MT/s的一半，即1.6GHz的频率。
对比DDR5来说，根据网上信息，最高数据传输速度为6400MT/s，为DDR4的一倍。时钟频率也一样，翻了一倍，为3.2GHz。所以DDR5从速度和频率的角度上来看，比DDR4有了明显的提升。
预取（Prefetch）
DDR5是如何实现速度和频率均翻倍的呢？其实从DDR开始，基本上数据传输速度的增加都是通过翻倍预取（prefetch）来实现的。例如：
SDR SDRAM
SDRAM中的S是Sychronous的意思，其含义是指DRAM工作采用的时钟为外部的同步时钟。DRAM的含义是Dynamic Random Access Memory的意思。Dynamic主要是相对SRAM的S来说的，S的意思是Stastic，静态的意思。SRAM通常被用来制造芯片内部的Cache。Random Access的意思是读写延迟并不随访问存储空间的具体物理位置不同而不同。SDR是指SDRAM没有采用预取功能，所以DRAM的核心（Core）频率与IO频率一致。任何时候当DRAM选中的某行某一列吐出一笔数据的时候，这笔数据就会被直接放到了IO接口上输出。此时数据传输的频率与DRAM核心频率一致，最高可以达到133Mhz。
DDR SDRAM
当到了DDR时代，每当访问DRAM选中的某行中的某一列的时候，DRAM颗粒直接预取下一列，这时每一个Core的时钟周期，都将产生两笔数据。当把这两笔数据以串行的方式放到IO接口上的时候，你需要两倍于Core时钟的频率才能采样到两笔数据。或者，仍然采用Core的时钟频率，但需要上下边沿均采样才能获得这两笔数据。因此，这种可以2n（两倍）预取的SDRAM被称为DDR SDRAM，其中DDR是Double Data Rate的意思。由于DRAM的核心速度有所发展，可以从100MHz到200MHz。所以，DDR时代数据传输速度可以从200MT/s到400MT/s。其产品规格从DDR200到DDR400不等。
DDR2
当发展到了DDR2，DRAM的核心频率并没有比DDR时代有显著增加，最高频率从原来的200MHz增加到266MHz。但由于预取从2n增加到了4n，数据传输的速度还是有显著的增加，从400MT/s （DDR）到1066MT/s(LPDDR2)。由于IO口仍然采用上下边沿采样数据，所以数据传输所使用到的时钟信号仍然为接口速度的一半，例如1066MT/s的颗粒，我们需要提供533MHz的时钟。但要完成4笔数据的传输，我们需要两个时钟周期才可以完成。而DRAM核心内部，其时钟频率只有266MHz。所以，每一个DRAM核心时钟周期，DRAM都会产生4笔数据。而IO口时钟是533MHz，因此，每个IO口时钟周期要完成两笔数据传输，又因为上下边沿均可采样，那么IO口一个时钟周期就正好能够完成两笔数据的传输。
DDR3
DDR3的预取增加到了8n，即每当读取某一列的时候，都会一共读取8列的数据。然后，8笔数据将以串行的方式放到IO口上。所以当DRAM的核心频率变化不大的时候，预取的越多，IO口的速度就会越快。如果DDR3的核心频率从100MHz到266Mhz，根据8n预取的关系，其数据传输速度可以达到800MT/s到2133MT/s。当全世界开始使用DDR3内存条的时候，主流处理器的Cacheline size都已经达到了64Byte。当内存条位宽为64bit的时候，8n预取，BL8都正好吻合一个Cacheline的大小。例如，一个核心时钟周期内，DDR3内存条所有DRAM颗粒将会产生8笔64-bit，总共有512-bit数据（64-Byte)。这些数据将会透过DRAM的IO口输出，由于上下边沿采样，所以IO口的频率应该是核心时钟频率的4倍。如266Mhz的核心频率，IO频率应该是266Mhz乘以4得到1066Mhz，数据传输速度将会是这个IO频率的两倍2133MT/s。
DDR4
按照道理来说，如果DDR4需要获得更快的数据传输速度，根据发展来看，预取需要增加到16n。但是这样一来，与BL8（Burst Length为8），64bit的位宽以及Cacheline Size矛盾。解决方案可以是：
一、预取16n，修改内存条位宽到32bit。
二、预取16n，不改变内存条位宽和BL8，内部丢掉后面的8n数据。
三、预取16n，BL16，不改变内存条位宽，修改cacheline大小。
四、预取16n，BL16，不改变内存条位宽，不修改cacheline大小，修改内存控制器尽量使用后8n数据。写操作可能需要先读后改等。
第一种方案对内存条以及内存控制器改动均大。第二种方案明显没有必要因为性能并没有提升。第三种方案如果修改cacheline大小则整个系统的架构要变化。第四种方案改动方案居中，需要获得性能和改动之间的一个平衡点。
最终，DDR4放弃了16n预取而保持了8n预取。但此时引入了新的概念 － Bank Group。这个概念的核心思想是通过两个不同Bank Group的8n预取来拼凑出一个16n的预取。当DRAM颗粒获得了两笔数据的读命令，并且这两笔数据的内容分布在不同的Bank Group中。由于Bank Group可以独立完成读取操作，两个Bank Group几乎可以同时准备好这两笔8n数据。然后，这两笔8数据被拼接成16n数据放到IO口上。IO口的数据传输速度就可以达到DDR3的两倍了。
但这种设计存在一个问题，如何保证下一读操作的Bank Group与当前Bank Group不是同一个？虽然在内存控制器地址解码的时候，我们可以把连续Cacheline分到不同的Bank Group，但是如果是Random的读操作，两个连续读操作的Bank Group可能恰好是同一个。那么就会出现，在一个Core时钟周期内，DRAM颗粒无法准备好两笔8n数据。这样，两笔读操作之间就会产生额外的等待时间。这些较长的等待时间在DDR4规范中被标注为_L，无需等待的被标注为_S。例如tCCD，列到列的等待时间，例如两笔读操作之间的时间，如果是相同的Bank Group，该时间标注为tCCD_L(6 clock)，而如果是不同的Bank Group，则标注为tCCD_S(4 clock)。如果BL8需要4clock传输8笔数据，连续读操作对于不同的Bank Group就刚好达到16n预取性能。但如果是相同的Bank Group，则每向外吐8笔数据，要停4笔数据的时间，才能继续传输8笔。拿DDR4 3200MT/s DRAM来说，实际性能只有3200x8/12 = 2133MT/s。除了读操作外，写也会遇到类似问题。
DDR5
终于，到了DDR5时代，预取从8n增加到了16n，并且一个通道的数据位宽从原来的64bit降为32bit。这样一来，通过16n预取，配合BL16就仍然保证了Cacheline的大小还是64Byte。
32bitxBL16/8 = 64Byte
需要注意的是Bank Group的概念并没有移除，所以DDR5对比DDR4，在数据传输速度上，因为16n的原因，仍然有一倍的提升。目前规范最高能够支持到6400MT/s，为DDR4规范定义的两倍。
电源
DDR5在电源方面也有了一些变化。首先，核心的VDD电压从DDR4时代的1.2v降低到现在的1.1v。这无疑会带来一定程度的节能，但也增加了DRAM的设计难度。除了核心电压有所改变外，DDR5的供电模块也从系统主机板移到了DDR5内存条上。该功能模块（PMIC）主要采用12v为输入，提供例如DRAM颗粒主电源，寄存器（RCD）电源，SPD芯片电源等等。更近的电源芯片无疑会带来更好的电源布局和更短的电源传输路径，但也会增加不少成本。
通道（Channel）
在DDR4时代，数据通道的宽度为64-bit数据加上8-bit ECC，总共72条信号线。因为16n预取，DDR5的数据宽度降到了DDR4的一半，为32-bit，ECC还是8个bit。因此DDR5内存条面临两个选择，一是沿用原来DDR4差不多Size的DIMM，又或者换成比较短的规格。最后，DDR5选择了前者，但多出来的Pin被设计成了另一个通道。所以，在DDR5内存条上，设计了两个子通道（Sub-Channel)分布在DIMM的两边。每个子通道都有32-bit的数据加8-bit ECC。
命令与地址（Command/Address)
由于DDR5采用了两个子通道在同一根DIMM上，这导致每个子通道除了要提供40-bit的数据线外，还要额外提供命令与地址线。如果按照DDR4的设计，那么DIMM的pin将不够用。为了解决这个问题，DDR5开始命令与地址线将会进行混合编码，同时有些命令将会采用双cycle进行采样。即如果有10根信号线，那么一次传输通过双cycle进行采样，将会得到20个不同的命令与地址信号。这样有效的解决了DIMM上信号管脚不足的问题。
新功能（New Feature）
根据Rambus网站介绍，DDR5在原来DDR4的基础上，增加或者增强了以下功能：
On-die ECC
Error Transparency mode
Post-package repair
read and write CRC mode
Reference：
https://www.eeweb.com/profile/ddan2025/articles/transitioning-from-ddr4-to-ddr5-dimm-buffer-chipsets
https://www.rambus.com/memory-and-interfaces/server-dimm-chipsets/ddr5-dimm-chipset/
https://blogs.synopsys.com/vip-central/2019/02/27/ddr5-4-3-2-how-memory-density-and-speed-increased-with-each-generation-of-ddr/
